聯(lián)系我們
地址：深圳市龍華區(qū)龍華街道三聯(lián)社區(qū)三聯(lián)創(chuàng)業(yè)路19號匯海廣場C座11層1106室
聯(lián)系電話：公司聯(lián)系電話：18926034563
傳真：0755-23771345
Q Q：2471505354
聯(lián)系電話：公司聯(lián)系電話：18926034563
傳真：0755-23771345
Q Q：2471505354
-
JW1501B
- 品牌: 杰華特 JoulWatt
- 封裝: JW1501B
- 產(chǎn)品類別: ACDC
- 主要規(guī)格參數(shù)
- 規(guī)格書&資料
- 類似產(chǎn)品
產(chǎn)品描述
JW®1501B是一款高性能初級側(cè)調(diào)節(jié)（PSR）控制器，具有高精度CV / CC控制，是充電器應(yīng)用的理想選擇。
在CV模式下，JW1501B采用多模式控制，采用AM（幅度調(diào)制）模式和（調(diào)頻）FM模式的混合，提高系統(tǒng)效率和可靠性。 在CC模式下，IC使用PFM控制線路和負(fù)載CC補(bǔ)償。 該IC可實現(xiàn)音頻無噪聲操作和優(yōu)化的動態(tài)響應(yīng)。 內(nèi)置的電纜壓降補(bǔ)償（CDC）功能可提供出色的CV性能。
JW1501B集成了欠壓鎖定（UVLO），VDD過壓保護(hù)（VDD OVP），逐周期電流限制（OCP），短路保護(hù)（SLP），柵極鉗位和VDD鉗位等功能和保護(hù)。
產(chǎn)品特點
1.多模PSR控制
2. PSR的音頻無噪聲操作
3. PSR的優(yōu)化動態(tài)響應(yīng)
4.低待機(jī)功率<70mW
5.±5％CC和CV調(diào)節(jié)
6. PSR CV模式下的可編程壓降補(bǔ)償（CDC）
7.內(nèi)置交流線路和負(fù)載CC補(bǔ)償
8.內(nèi)置保護(hù)：
短路保護(hù)（SLP）
芯片熱保護(hù)關(guān)機(jī)（OTP）
逐周期電流限制
前沿消隱（LEB）
引腳浮動保護(hù)
VDD欠壓鎖定，OVP和鉗位
9. SOP-8封裝
產(chǎn)品參數(shù)
1.功率范圍：≤15W
2. MOSFET擊穿電壓：650V
3. MOSFET Rdson：2.1Ω
4.最高頻率：70kHz
5.待機(jī)功率：<75mW
6. CV / CC規(guī)定：±5％
產(chǎn)品電路示意圖
JW®1501B是一款高性能初級側(cè)調(diào)節(jié)（PSR）控制器，具有高精度CV / CC控制，是充電器應(yīng)用的理想選擇。
在CV模式下，JW1501B采用多模式控制，采用AM（幅度調(diào)制）模式和（調(diào)頻）FM模式的混合，提高系統(tǒng)效率和可靠性。 在CC模式下，IC使用PFM控制線路和負(fù)載CC補(bǔ)償。 該IC可實現(xiàn)音頻無噪聲操作和優(yōu)化的動態(tài)響應(yīng)。 內(nèi)置的電纜壓降補(bǔ)償（CDC）功能可提供出色的CV性能。
JW1501B集成了欠壓鎖定（UVLO），VDD過壓保護(hù)（VDD OVP），逐周期電流限制（OCP），短路保護(hù)（SLP），柵極鉗位和VDD鉗位等功能和保護(hù)。
產(chǎn)品特點
1.多模PSR控制
2. PSR的音頻無噪聲操作
3. PSR的優(yōu)化動態(tài)響應(yīng)
4.低待機(jī)功率<70mW
5.±5％CC和CV調(diào)節(jié)
6. PSR CV模式下的可編程壓降補(bǔ)償（CDC）
7.內(nèi)置交流線路和負(fù)載CC補(bǔ)償
8.內(nèi)置保護(hù)：
短路保護(hù)（SLP）
芯片熱保護(hù)關(guān)機(jī)（OTP）
逐周期電流限制
前沿消隱（LEB）
引腳浮動保護(hù)
VDD欠壓鎖定，OVP和鉗位
9. SOP-8封裝
產(chǎn)品參數(shù)
1.功率范圍：≤15W
2. MOSFET擊穿電壓：650V
3. MOSFET Rdson：2.1Ω
4.最高頻率：70kHz
5.待機(jī)功率：<75mW
6. CV / CC規(guī)定：±5％
產(chǎn)品電路示意圖
Content for Tab 3